我司的太陽能教學實驗臺當中，有專業進行硅材料檢測方面的試驗臺。可以用于硅材料檢測的一些實訓項目，可以用于一些硅材料技術、光伏材料加工及應用技術專業，此太陽能教學實驗臺設計精密，可以根據常用的一些測試項目，進行一些硅片或則相關制品的電學性能測試，該實訓臺可開展的實訓項目有：

         一、導電性能測試： 

         此太陽能教學實驗臺進行導電性能測試的原理是：通過半導體與冷、熱探筆接觸后，由于載流子的熱運動與溫度有關，熱區的載流子熱運動速度大，冷區熱運動速度小，因此在冷、熱兩端形成空穴或自由電子的濃度差，從而產生溫差電動勢來測量。

         二、進行四探針法測試硅單晶電阻率：

         四探針法用針距約為1mm的四根探針同時壓在硅單晶樣品的平整表面上，利用恒流源給外面兩根探針通以電流，然后在中間兩根探針上用電位差計測量電壓降，然后根據推導簡化   公式，其中四根探針排列在同一條直線上，間距相等，此時探針系數就是一個常數。

         在實際測量工作中，為了計算方便，常常令電流I在數值上與探針系數C相等，即I=C，于是ρ=V23，此時探針2與3之間測得電位差在數值上就等于樣品的電阻率。

          三、少子壽命的測試：

          太陽能教學實驗臺采用電脈沖以及光脈沖的方法，從半導體內激發非平衡載流子，調節了半導體的體電阻，電導率增加，樣品的電阻減小，因此樣品上流過的高頻電流的幅值增加，通過測量體電阻或串聯電阻兩端電壓的變化規律來觀察半導體材料中的非平衡少數載流子的衰減規律，從而測定其壽命。